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Lo nuevo de Samsung para romper el mercado: no te quedas más sin memoria

Ofrece 20 veces más de almacenamiento que una memoria interna de 64GB y es 10 veces más rápido que una tarjeta MicroSD. Analistas especulan que el gigante asiático podría aplicarlo en su nuevo Galaxy S10

30 de Enero 2019
Lo nuevo de Samsung para romper el mercado: no te quedas más sin memoria

Si bien falta poco más de tres semanas para conocer de forma oficial la nueva familia Samsung Galaxy S10, la compañía surcoreana acaba de patear el tablero y confirmar un adelanto tecnológico que bien podría potenciar el lanzamiento del nuevo dispositivo, e iniciar la era de los smartphones con 1TB de almacenamiento interno.

¿Por qué? El gigante surcoreano anunció de forma oficial la quinta generación V-NAND de la compañía, el primer almacenamiento flash universal (eUFS) 2.1 integrado de un terabyte (TB) de la industria de smartphones. Hasta el momento, ningún otro fabricante había conseguido crear un chip de almacenamiento interno flash de tanta capacidad y rapidez.

“Samsung supera el umbral de Terabyte para el almacenamiento de teléfonos inteligentes con el primer almacenamiento flash universal incorporado de 1 TB de la industria”, explicó la empresa en el comunicado oficial.

Según el fabricante, el nuevo Universal Flash Storage ofrece 20 veces más de almacenamiento que una memoria interna de 64GB y 10 veces la velocidad de una tarjeta microSD típica para aplicaciones de uso intensivo de datos

Samsung Electronics confirmó que ya produce en masa este primer almacenamiento, el cual se usará en aplicaciones móviles de próxima generación.

Apenas cuatro años después de presentar la primera solución UFS, el eUFS de 128 gigabytes (GB), Samsung superó el umbral de terabyte en el almacenamiento de teléfonos inteligentes.

“Los entusiastas de los teléfonos inteligentes pronto podrán disfrutar de una capacidad de almacenamiento comparable a una PC portátil premium, sin tener que vincular sus teléfonos con tarjetas de memoria adicionales”, resaltó la empresa.

En ese sentido, Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de Ventas y Mercadeo de Memoria en Samsung Electronics, resaltó que “se espera que el eUFS de 1TB desempeñe un papel fundamental para brindar una experiencia de usuario más portátil a la próxima generación de dispositivos móviles".

“Además, Samsung se compromete a garantizar la cadena de suministro más confiable y las cantidades de producción adecuadas para respaldar los lanzamientos oportunos de los teléfonos inteligentes estrella para acelerar el crecimiento del mercado móvil global”, añadió.

Con un tamaño de 11,5 mm x 13,0 mm, la solución eUFS de 1TB duplica la capacidad de la versión anterior de 512 GB al combinar 16 capas apiladas de la memoria flash V-NAND más avanzada de 512 gigabits (Gb) de Samsung y una propiedad desarrollada recientemente.

Los usuarios de teléfonos inteligentes ahora podrán almacenar 260 videos de 10 minutos en formato 4K UHD (3840 × 2160), mientras que en el eUFS de 64 GB -usado en muchos de los actuales teléfonos inteligentes de alta gama- se pueden almacenar 13 videos del mismo tamaño.

El eUFS de 1TB también posee una velocidad excepcional, lo que permite transferir grandes cantidades de contenido multimedia en un tiempo significativamente reducido.

Con una velocidad de hasta 1.000 megabytes por segundo (MB/s), el nuevo eUFS presenta aproximadamente el doble de la velocidad de lectura secuencial de una unidad de estado sólido (SSD) SATA típica de 2,5 pulgadas.

Así, los videos HD completos de 5GB pueden descargarse a una SSD NVMe en apenas cinco segundos, es decir, 10 veces más rápido que la velocidad de una típica tarjeta microSD.

Además, la velocidad de lectura aleatoria aumentó hasta un 38% con respecto a la versión de 512 GB, alcanzando hasta 58,000 IOPS.

Las escrituras aleatorias son 500 veces más rápidas que una tarjeta microSD de alto rendimiento (100 IOPS), llegando a un máximo de 50,000 IOPS.

Samsung planea expandir la producción de su 512Gb V-NAND de quinta generación en su planta de Pyeongtaek, en Corea, durante la primera mitad de 2019 para atender la fuerte demanda anticipada de eUFS de 1TB de fabricantes de dispositivos móviles de todo el mundo.



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